我们能看到细节了。会以全内存的数据为依据进行ZDS示波器的一大特点就是深存储，而固定的范围会制约这一特点的应用，导致深存储时大部分的数据都不能用于。在新特性中，这情况将改变，我们可以把存储深度设置成很大，系统会根据协议波特率等特点动态的调整范围，的情况我们会将范围拓展到整个内存，并且这种特性是在Run和Sto模式中都可以使用，不再局限于Sto!全内存我们将存储深度设置为28M，此时整个内存中数据的时间跨度为-14ms~14ms。半导体工业界预测，这种进步至少仍将持续10到15年。面对现有的晶体管模式及已经临近极限，借助芯片设计人员巨大的创造才能，使一个个看似不可逾越的难关化险为夷，硅晶体管继续着小型化的步伐。近期科学家的科技成果显示，将10纳米长的图案压印在硅片上的时间为四百万分之一秒，把硅片上晶体管的密度提高了100倍，同时也大大提高了线生产的速度。这一成果将使电子产品继续微小化，使摩尔定律继续适用。
